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APTRG8A120G

制造商:Microsemi Corporation

封装外壳:-

描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DL IGBT

6427 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microsemi Corporation设计生产的APTRG8A120G,现有足量库存。APTRG8A120G的封装/规格参数为:-;同时斯普仑现货为您提供APTRG8A120G数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有APTRG8A120G的详细使用方法及教程。

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APTRG8A120G产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 APTRG8A120G
描述 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DL IGBT
制造商 Microsemi Corporation
库存 6427
包装 散装
驱动配置 半桥
通道类型 独立式
驱动器数 2
栅极类型 IGBT
电压 - 供电 14.5V ~ 15.5V
逻辑电压 - VIL,VIH 0.8V,2V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 8A,8A
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举) 1200 V
上升/下降时间(典型值) -
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 -
封装/外壳 -
供应商器件封装 -

为智能时代加速到来而付出“真芯”