欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 400-900-8690
制造商：Renesas Electronics America Inc
封装外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的ISL6612AEIBZ，现有足量库存。ISL6612AEIBZ的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供ISL6612AEIBZ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有ISL6612AEIBZ的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的ISL6612AEIBZ，现有足量库存。ISL6612AEIBZ的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供ISL6612AEIBZ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有ISL6612AEIBZ的详细使用方法及教程。
| ISL6612AEIBZ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | ISL6612AEIBZ |
| 描述 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| 制造商 | Renesas Electronics America Inc |
| 库存 | 1233 |
| 包装 | 管件 |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 通道类型 | 同步 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 10.8V ~ 13.2V |
| 逻辑电压 - VIL，VIH | - |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 1.25A，2A |
| 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 36 V |
| 上升/下降时间（典型值） | 26ns，18ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC-EP |
