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ISL6608IRZ-T

制造商:Renesas Electronics America Inc

封装外壳:8-VQFN 裸露焊盘

描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN

1282 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的ISL6608IRZ-T,现有足量库存。ISL6608IRZ-T的封装/规格参数为:8-VQFN 裸露焊盘;同时斯普仑现货为您提供ISL6608IRZ-T数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有ISL6608IRZ-T的详细使用方法及教程。

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ISL6608IRZ-T产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 ISL6608IRZ-T
描述 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN
制造商 Renesas Electronics America Inc
库存 1282
包装 卷带(TR)
驱动配置 半桥
通道类型 同步
驱动器数 2
栅极类型 N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 4.5V ~ 5.5V
逻辑电压 - VIL,VIH -
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 2A,2A
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举) 22 V
上升/下降时间(典型值) 8ns,8ns
工作温度 -40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装 8-QFN(3x3)

为智能时代加速到来而付出“真芯”