NCP81085MTTXG参数_ncp81085mttxg栅极驱动器芯片【斯普仑】

制造商：onsemi

封装外壳：9-WDFN 裸露焊盘

描述：HIGH PERFORMANCE DUAL MOSFET GAT

8521 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NCP81085MTTXG，现有足量库存。NCP81085MTTXG的封装/规格参数为:9-WDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供NCP81085MTTXG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NCP81085MTTXG的详细使用方法及教程。

NCP81085MTTXG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NCP81085MTTXG
描述	HIGH PERFORMANCE DUAL MOSFET GAT
制造商	onsemi
库存	8521
包装	卷带（TR）
驱动配置	高压侧和低压侧
通道类型	单路
驱动器数	2
栅极类型	N 沟道 MOSFET
电压 - 供电	8.5V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH	0.8V，2.7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）	4A，4A
输入类型	非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）	200 V
上升/下降时间（典型值）	8ns，7ns
工作温度	-40°C ~ 140°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	9-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装	9-WDFN（4x5）