欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

SNCV5700DR2G

制造商:onsemi

封装外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:HIGH CURRENT IGBT GATE DR

3681 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的SNCV5700DR2G,现有足量库存。SNCV5700DR2G的封装/规格参数为:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供SNCV5700DR2G数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SNCV5700DR2G的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的SNCV5700DR2G,现有足量库存。SNCV5700DR2G的封装/规格参数为:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供SNCV5700DR2G数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SNCV5700DR2G的详细使用方法及教程。

SNCV5700DR2G产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 SNCV5700DR2G
描述 HIGH CURRENT IGBT GATE DR
制造商 onsemi
库存 3681
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
驱动配置 高压侧或低压侧
通道类型 同步
驱动器数 2
栅极类型 IGBT
电压 - 供电 12.5V ~ 20V
逻辑电压 - VIL,VIH 0.75V,4.3V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 7.8A,6.8A
输入类型 反相
高压侧电压 - 最大值(自举) -
上升/下降时间(典型值) 9.2ns,7.9ns
工作温度 -40°C ~ 125°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 16-SOIC

为智能时代加速到来而付出“真芯”