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制造商：Texas Instruments
封装外壳：8-PowerSOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR
斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的UCC27212AQDDARQ1，现有足量库存。UCC27212AQDDARQ1的封装/规格参数为:8-PowerSOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供UCC27212AQDDARQ1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有UCC27212AQDDARQ1的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的UCC27212AQDDARQ1，现有足量库存。UCC27212AQDDARQ1的封装/规格参数为:8-PowerSOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供UCC27212AQDDARQ1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有UCC27212AQDDARQ1的详细使用方法及教程。
| UCC27212AQDDARQ1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | UCC27212AQDDARQ1 |
| 描述 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR |
| 制造商 | Texas Instruments |
| 库存 | 8699 |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 通道类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 7V ~ 17V |
| 逻辑电压 - VIL，VIH | 1.6V，2.3V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 4A，4A |
| 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | - |
| 上升/下降时间（典型值） | 7.8ns，6ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 140°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO-PowerPad |
