欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

NCD5701BDR2G

制造商:onsemi

封装外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

5979 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NCD5701BDR2G,现有足量库存。NCD5701BDR2G的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供NCD5701BDR2G数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有NCD5701BDR2G的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NCD5701BDR2G,现有足量库存。NCD5701BDR2G的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供NCD5701BDR2G数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有NCD5701BDR2G的详细使用方法及教程。

NCD5701BDR2G产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 NCD5701BDR2G
描述 IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
制造商 onsemi
库存 5979
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
驱动配置 低端
通道类型 单路
驱动器数 1
栅极类型 IGBT
电压 - 供电 20V
逻辑电压 - VIL,VIH -
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 7.8A,6.8A
输入类型 -
高压侧电压 - 最大值(自举) -
上升/下降时间(典型值) 18ns,19ns
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC

为智能时代加速到来而付出“真芯”