欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

NCP303151MNTWG

制造商:onsemi

封装外壳:39-PowerVFQFN

描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE PQFN39

3397 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NCP303151MNTWG,现有足量库存。NCP303151MNTWG的封装/规格参数为:39-PowerVFQFN;同时斯普仑现货为您提供NCP303151MNTWG数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有NCP303151MNTWG的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NCP303151MNTWG,现有足量库存。NCP303151MNTWG的封装/规格参数为:39-PowerVFQFN;同时斯普仑现货为您提供NCP303151MNTWG数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有NCP303151MNTWG的详细使用方法及教程。

NCP303151MNTWG产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 NCP303151MNTWG
描述 IC GATE DRVR HI/LOW SIDE PQFN39
制造商 onsemi
库存 3397
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
驱动配置 高压侧或低压侧
通道类型 单路
驱动器数 2
栅极类型 N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 4.5V ~ 5.5V
逻辑电压 - VIL,VIH 0.65V,2.7V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 100mA,100mA
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举) 30 V
上升/下降时间(典型值) 17ns,26ns
工作温度 -40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 39-PowerVFQFN
供应商器件封装 39-PQFN(5x6)

为智能时代加速到来而付出“真芯”