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LM5113TME/NOPB

制造商:Texas Instruments

封装外壳:12-WFBGA,DSBGA

描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

8660 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的LM5113TME/NOPB,现有足量库存。LM5113TME/NOPB的封装/规格参数为:12-WFBGA,DSBGA;同时斯普仑现货为您提供LM5113TME/NOPB数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有LM5113TME/NOPB的详细使用方法及教程。

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LM5113TME/NOPB产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 LM5113TME/NOPB
描述 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA
制造商 Texas Instruments
库存 8660
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
驱动配置 半桥
通道类型 独立式
驱动器数 2
栅极类型 N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 4.5V ~ 5.5V
逻辑电压 - VIL,VIH 1.76V,1.89V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 1.2A,5A
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举) 107 V
上升/下降时间(典型值) 7ns,1.5ns
工作温度 -40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 12-WFBGA,DSBGA
供应商器件封装 12-DSBGA

为智能时代加速到来而付出“真芯”