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DGD0590AFU-7

制造商:Diodes Incorporated

封装外壳:8-VQFN 裸露焊盘

描述:IC GATE DRV HALF-BRIDG QFN3030-8

2798 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DGD0590AFU-7,现有足量库存。DGD0590AFU-7的封装/规格参数为:8-VQFN 裸露焊盘;同时斯普仑现货为您提供DGD0590AFU-7数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有DGD0590AFU-7的详细使用方法及教程。

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DGD0590AFU-7产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 DGD0590AFU-7
描述 IC GATE DRV HALF-BRIDG QFN3030-8
制造商 Diodes Incorporated
库存 2798
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
驱动配置 半桥
通道类型 独立式
驱动器数 2
栅极类型 N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 4.5V ~ 5.5V
逻辑电压 - VIL,VIH -
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 1A,3A
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举) 50 V
上升/下降时间(典型值) 27ns,29ns
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装 V-QFN3030-8(TH 类)

为智能时代加速到来而付出“真芯”