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制造商：Renesas Electronics America Inc
封装外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的HIP2100IBZT7A，现有足量库存。HIP2100IBZT7A的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供HIP2100IBZT7A数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有HIP2100IBZT7A的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的HIP2100IBZT7A，现有足量库存。HIP2100IBZT7A的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供HIP2100IBZT7A数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有HIP2100IBZT7A的详细使用方法及教程。
| HIP2100IBZT7A产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | HIP2100IBZT7A |
| 描述 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| 制造商 | Renesas Electronics America Inc |
| 库存 | 8055 |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 通道类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 9V ~ 14V |
| 逻辑电压 - VIL，VIH | 4V，7V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 2A，2A |
| 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 114 V |
| 上升/下降时间（典型值） | 10ns，10ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
