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制造商：Nisshinbo Micro Devices Inc.
封装外壳：8-LSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽）
描述：IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8VSP
斯普仑电子元件现货为您提供Nisshinbo Micro Devices Inc.设计生产的NJM8512BR-TE2，现有足量库存。NJM8512BR-TE2的封装/规格参数为:8-LSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供NJM8512BR-TE2数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NJM8512BR-TE2的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Nisshinbo Micro Devices Inc.设计生产的NJM8512BR-TE2，现有足量库存。NJM8512BR-TE2的封装/规格参数为:8-LSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供NJM8512BR-TE2数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NJM8512BR-TE2的详细使用方法及教程。
| NJM8512BR-TE2产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | NJM8512BR-TE2 |
| 描述 | IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8VSP |
| 制造商 | Nisshinbo Micro Devices Inc. |
| 库存 | 8484 |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 放大器类型 | J-FET |
| 电路数 | 2 |
| 输出类型 | - |
| 压摆率 | 20V/µs |
| 增益带宽积 | 7 MHz |
| -3db 带宽 | - |
| 电流 - 输入偏置 | 25 pA |
| 电压 - 输入补偿 | 80 µV |
| 电流 - 供电 | 2.6mA |
| 电流 - 输出/通道 | - |
| 电压 - 跨度（最小值） | 9 V |
| 电压 - 跨度（最大值） | 32 V |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-LSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-VSP |
