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制造商：Nisshinbo Micro Devices Inc.
封装外壳：TO-252-6，DPak（5 引线 + 接片）
描述：IC CMOS 1 CIRCUIT TO252-5
斯普仑电子元件现货为您提供Nisshinbo Micro Devices Inc.设计生产的NJU77903DL3-TE1，现有足量库存。NJU77903DL3-TE1的封装/规格参数为:TO-252-6，DPak（5 引线 + 接片）；同时斯普仑现货为您提供NJU77903DL3-TE1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NJU77903DL3-TE1的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Nisshinbo Micro Devices Inc.设计生产的NJU77903DL3-TE1，现有足量库存。NJU77903DL3-TE1的封装/规格参数为:TO-252-6，DPak（5 引线 + 接片）；同时斯普仑现货为您提供NJU77903DL3-TE1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NJU77903DL3-TE1的详细使用方法及教程。
| NJU77903DL3-TE1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | NJU77903DL3-TE1 |
| 描述 | IC CMOS 1 CIRCUIT TO252-5 |
| 制造商 | Nisshinbo Micro Devices Inc. |
| 库存 | 9000 |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 放大器类型 | CMOS |
| 电路数 | 1 |
| 输出类型 | 满摆幅 |
| 压摆率 | 4V/µs |
| 增益带宽积 | - |
| -3db 带宽 | - |
| 电流 - 输入偏置 | 1 pA |
| 电压 - 输入补偿 | 2 mV |
| 电流 - 供电 | 12mA |
| 电流 - 输出/通道 | 400 mA |
| 电压 - 跨度（最小值） | 6.8 V |
| 电压 - 跨度（最大值） | 36 V |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-6，DPak（5 引线 + 接片） |
| 供应商器件封装 | TO-252-5 |
