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INA823DR

制造商:Texas Instruments

封装外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:PRECISION (100 UV), LOW-POWER (2

6826 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的INA823DR,现有足量库存。INA823DR的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供INA823DR数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有INA823DR的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的INA823DR,现有足量库存。INA823DR的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供INA823DR数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有INA823DR的详细使用方法及教程。

INA823DR产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 INA823DR
描述 PRECISION (100 UV), LOW-POWER (2
制造商 Texas Instruments
库存 6826
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
放大器类型 仪表
电路数 1
输出类型 -
压摆率 1V/µs
增益带宽积 -
-3db 带宽 6 kHz
电流 - 输入偏置 1.2 pA
电压 - 输入补偿 20 µV
电流 - 供电 180µA
电流 - 输出/通道 16 mA
电压 - 跨度(最小值) 2.7 V
电压 - 跨度(最大值) 36 V
工作温度 -40°C ~ 125°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC

为智能时代加速到来而付出“真芯”