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制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
封装外壳：SC-76，SOD-323
描述：DIODE SCHOTTKY 40V 700MA US-FLAT
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的CUS03(TE85L,Q,M)，现有足量库存。CUS03(TE85L,Q,M)的封装/规格参数为:SC-76，SOD-323；同时斯普仑现货为您提供CUS03(TE85L,Q,M)数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CUS03(TE85L,Q,M)的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的CUS03(TE85L,Q,M)，现有足量库存。CUS03(TE85L,Q,M)的封装/规格参数为:SC-76，SOD-323；同时斯普仑现货为您提供CUS03(TE85L,Q,M)数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CUS03(TE85L,Q,M)的详细使用方法及教程。
| CUS03(TE85L,Q,M)产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | CUS03(TE85L,Q,M) |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 40V 700MA US-FLAT |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 9252 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 40 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 700mA |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 520 mV @ 700 mA |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100 µA @ 40 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 45pF @ 10V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-76，SOD-323 |
| 供应商器件封装 | US-FLAT（1.25x2.5） |
| 工作温度 - 结 | -40°C ~ 150°C |
