欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 400-900-8690
制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：DO-201AD，轴向
描述：DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的EGP31B-E3/D，现有足量库存。EGP31B-E3/D的封装/规格参数为:DO-201AD，轴向；同时斯普仑现货为您提供EGP31B-E3/D数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有EGP31B-E3/D的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的EGP31B-E3/D，现有足量库存。EGP31B-E3/D的封装/规格参数为:DO-201AD，轴向；同时斯普仑现货为您提供EGP31B-E3/D数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有EGP31B-E3/D的详细使用方法及教程。
| EGP31B-E3/D产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | EGP31B-E3/D |
| 描述 | DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 34180 |
| 系列 | SUPERECTIFIER® |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 100 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 3A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 950 mV @ 3 A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 50 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1 µA @ 100 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 117pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | DO-201AD，轴向 |
| 供应商器件封装 | DO-201AD |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 175°C |
