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TRS8E65C,S1Q

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳:TO-220-2

描述:DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L

4868 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TRS8E65C,S1Q,现有足量库存。TRS8E65C,S1Q的封装/规格参数为:TO-220-2;同时斯普仑现货为您提供TRS8E65C,S1Q数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TRS8E65C,S1Q的详细使用方法及教程。

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TRS8E65C,S1Q产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 TRS8E65C,S1Q
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 4868
系列 -
包装 管件
二极管类型 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 650 V
电流 - 平均整流 (Io) 8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.7 V @ 8 A
速度 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 90 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容 44pF @ 650V,1MHz
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-2
供应商器件封装 TO-220-2L
工作温度 - 结 175°C(最大)

为智能时代加速到来而付出“真芯”