欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

TRS6E65C,S1AQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：TO-220-2

描述：DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L

33908 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TRS6E65C,S1AQ，现有足量库存。TRS6E65C,S1AQ的封装/规格参数为:TO-220-2；同时斯普仑现货为您提供TRS6E65C,S1AQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TRS6E65C,S1AQ的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TRS6E65C,S1AQ，现有足量库存。TRS6E65C,S1AQ的封装/规格参数为:TO-220-2；同时斯普仑现货为您提供TRS6E65C,S1AQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TRS6E65C,S1AQ的详细使用方法及教程。

TRS6E65C,S1AQ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TRS6E65C,S1AQ
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 33908
系列 -
包装 管件
二极管类型 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） 650 V
电流 - 平均整流 (Io) 6A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.7 V @ 6 A
速度 无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr) 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 90 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容 35pF @ 650V，1MHz
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-2
供应商器件封装 TO-220-2L
工作温度 - 结 175°C（最大）

猜您喜欢

Toshiba Semiconductor and Storage

G5S06506DT

Toshiba Semiconductor and Storage

G5S06504AT

Toshiba Semiconductor and Storage

G3S06530A

Toshiba Semiconductor and Storage

G4S06506AT

Toshiba Semiconductor and Storage

G3S06505A

Toshiba Semiconductor and Storage

G3S12005C

Toshiba Semiconductor and Storage

G3S12003A

Toshiba Semiconductor and Storage

G5S06508DT

Toshiba Semiconductor and Storage

G3S12015A

Toshiba Semiconductor and Storage

G3S06530PM

Toshiba Semiconductor and Storage

G5S12010D

Toshiba Semiconductor and Storage

G3S06510A

Toshiba Semiconductor and Storage

G3S17005C

Toshiba Semiconductor and Storage

G3S06503A

Toshiba Semiconductor and Storage

G3S06502A

Toshiba Semiconductor and Storage

G5S12005A

Toshiba Semiconductor and Storage

G4S12010PM

Toshiba Semiconductor and Storage

G5S06510DT

Toshiba Semiconductor and Storage

G3S06505H

Toshiba Semiconductor and Storage

G3S06504H

为智能时代加速到来而付出“真芯”