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STTH4R06DEE-TR

制造商:STMicroelectronics

封装外壳:8-PowerVDFN

描述:DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT

38272 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STTH4R06DEE-TR,现有足量库存。STTH4R06DEE-TR的封装/规格参数为:8-PowerVDFN;同时斯普仑现货为您提供STTH4R06DEE-TR数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有STTH4R06DEE-TR的详细使用方法及教程。

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STTH4R06DEE-TR产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 STTH4R06DEE-TR
描述 DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT
制造商 STMicroelectronics
库存 38272
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 600 V
电流 - 平均整流 (Io) 4A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.7 V @ 4 A
速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 3 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容 -
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN
供应商器件封装 PowerFlat™(3.3x3.3)
工作温度 - 结 150°C(最大)

为智能时代加速到来而付出“真芯”