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1N8035-GA

制造商:GeneSiC Semiconductor

封装外壳:TO-276AA

描述:DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

28401 现货

斯普仑电子元件现货为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的1N8035-GA,现有足量库存。1N8035-GA的封装/规格参数为:TO-276AA;同时斯普仑现货为您提供1N8035-GA数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有1N8035-GA的详细使用方法及教程。

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1N8035-GA产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 1N8035-GA
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
制造商 GeneSiC Semiconductor
库存 28401
系列 -
包装 管件
二极管类型 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 650 V
电流 - 平均整流 (Io) 14.6A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.5 V @ 15 A
速度 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容 1107pF @ 1V,1MHz
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-276AA
供应商器件封装 TO-276
工作温度 - 结 -55°C ~ 250°C

为智能时代加速到来而付出“真芯”