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1N8032-GA

制造商:GeneSiC Semiconductor

封装外壳:TO-257-3

描述:DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

1767 现货

斯普仑电子元件现货为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的1N8032-GA,现有足量库存。1N8032-GA的封装/规格参数为:TO-257-3;同时斯普仑现货为您提供1N8032-GA数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有1N8032-GA的详细使用方法及教程。

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1N8032-GA产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 1N8032-GA
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
制造商 GeneSiC Semiconductor
库存 1767
系列 -
包装 管件
二极管类型 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 650 V
电流 - 平均整流 (Io) 2.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.3 V @ 2.5 A
速度 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容 274pF @ 1V,1MHz
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-257-3
供应商器件封装 TO-257
工作温度 - 结 -55°C ~ 250°C

为智能时代加速到来而付出“真芯”