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制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
描述：DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO204AL
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的VS-MBR1100TR，现有足量库存。VS-MBR1100TR的封装/规格参数为:DO-204AL，DO-41，轴向；同时斯普仑现货为您提供VS-MBR1100TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有VS-MBR1100TR的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的VS-MBR1100TR，现有足量库存。VS-MBR1100TR的封装/规格参数为:DO-204AL，DO-41，轴向；同时斯普仑现货为您提供VS-MBR1100TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有VS-MBR1100TR的详细使用方法及教程。
| VS-MBR1100TR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | VS-MBR1100TR |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO204AL |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 6821 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 100 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 850 mV @ 1 A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 500 µA @ 100 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 35pF @ 5V，1MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商器件封装 | DO-204AL（DO-41） |
| 工作温度 - 结 | -40°C ~ 150°C |
