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12F100B BN R Y

制造商:Vishay Semiconductor Opto Division

封装外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱

描述:DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

19353 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Semiconductor Opto Division设计生产的12F100B BN R Y,现有足量库存。12F100B BN R Y的封装/规格参数为:DO-203AA,DO-4,接线柱;同时斯普仑现货为您提供12F100B BN R Y数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有12F100B BN R Y的详细使用方法及教程。

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12F100B BN R Y产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 12F100B BN R Y
描述 DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA
制造商 Vishay Semiconductor Opto Division
库存 19353
系列 -
包装 散装
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 1000 V
电流 - 平均整流 (Io) 12A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.26 V @ 38 A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 -
不同 Vr、F 时电容 -
安装类型 底座,接线柱安装
封装/外壳 DO-203AA,DO-4,接线柱
供应商器件封装 DO-203AA
工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C

为智能时代加速到来而付出“真芯”