G4S6508Z
制造商：Global Power Technology-GPT
封装外壳：8-PowerTDFN
描述：SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A DFN5*
18789
现货
斯普仑电子元件现货为您提供Global Power Technology-GPT设计生产的G4S6508Z，现有足量库存。G4S6508Z的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供G4S6508Z数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有G4S6508Z的详细使用方法及教程。
