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E1780TG65E

制造商:IXYS

封装外壳:TO-200AF

描述:DIODE GEN PURP 3.6KV 1780A -

10390 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的E1780TG65E,现有足量库存。E1780TG65E的封装/规格参数为:TO-200AF;同时斯普仑现货为您提供E1780TG65E数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有E1780TG65E的详细使用方法及教程。

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E1780TG65E产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 E1780TG65E
描述 DIODE GEN PURP 3.6KV 1780A -
制造商 IXYS
库存 10390
系列 SONIC-FRD™
包装
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 3600 V
电流 - 平均整流 (Io) 1780A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 3.83 V @ 1.78 kA
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 1.22 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 100 mA @ 3600 V
不同 Vr、F 时电容 -
安装类型 底座安装
封装/外壳 TO-200AF
供应商器件封装 -
工作温度 - 结 -40°C ~ 140°C

为智能时代加速到来而付出“真芯”