欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 400-900-8690
制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
描述：DIODE GEN PURP 600V 8A TO262
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的VS-8ETH06-1HM3，现有足量库存。VS-8ETH06-1HM3的封装/规格参数为:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；同时斯普仑现货为您提供VS-8ETH06-1HM3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有VS-8ETH06-1HM3的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的VS-8ETH06-1HM3，现有足量库存。VS-8ETH06-1HM3的封装/规格参数为:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；同时斯普仑现货为您提供VS-8ETH06-1HM3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有VS-8ETH06-1HM3的详细使用方法及教程。
| VS-8ETH06-1HM3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | VS-8ETH06-1HM3 |
| 描述 | DIODE GEN PURP 600V 8A TO262 |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 34408 |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
| 包装 | 管件 |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 600 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 8A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 2.4 V @ 8 A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 25 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 µA @ 600 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
