RS1DLHR3G
制造商：Taiwan Semiconductor Corporation
封装外壳：DO-219AB
描述：DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
49833
现货
斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的RS1DLHR3G，现有足量库存。RS1DLHR3G的封装/规格参数为:DO-219AB；同时斯普仑现货为您提供RS1DLHR3G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RS1DLHR3G的详细使用方法及教程。
