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制造商：Infineon Technologies
封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的BAS116E6433HTMA1，现有足量库存。BAS116E6433HTMA1的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供BAS116E6433HTMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BAS116E6433HTMA1的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的BAS116E6433HTMA1，现有足量库存。BAS116E6433HTMA1的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供BAS116E6433HTMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BAS116E6433HTMA1的详细使用方法及教程。
| BAS116E6433HTMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | BAS116E6433HTMA1 |
| 描述 | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 19193 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 80 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 250mA |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25 V @ 150 mA |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 1.5 µs |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5 nA @ 75 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23 |
| 工作温度 - 结 | 150°C（最大） |
