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制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：DO-203AB，DO-5，接线柱
描述：DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的VS-1N3766R，现有足量库存。VS-1N3766R的封装/规格参数为:DO-203AB，DO-5，接线柱；同时斯普仑现货为您提供VS-1N3766R数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有VS-1N3766R的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的VS-1N3766R，现有足量库存。VS-1N3766R的封装/规格参数为:DO-203AB，DO-5，接线柱；同时斯普仑现货为您提供VS-1N3766R数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有VS-1N3766R的详细使用方法及教程。
| VS-1N3766R产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | VS-1N3766R |
| 描述 | DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 16435 |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 二极管类型 | 标准型，反极性 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 800 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 35A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.8 V @ 110 A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 4 mA @ 800 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | - |
| 安装类型 | 底座，接线柱安装 |
| 封装/外壳 | DO-203AB，DO-5，接线柱 |
| 供应商器件封装 | DO-203AB（DO-5） |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 190°C |
