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WND35P12BJ

制造商:WeEn Semiconductors

封装外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

描述:STANDARD REVERSE RECOVERY POWER

37341 现货

斯普仑电子元件现货为您提供WeEn Semiconductors设计生产的WND35P12BJ,现有足量库存。WND35P12BJ的封装/规格参数为:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;同时斯普仑现货为您提供WND35P12BJ数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有WND35P12BJ的详细使用方法及教程。

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WND35P12BJ产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 WND35P12BJ
描述 STANDARD REVERSE RECOVERY POWER
制造商 WeEn Semiconductors
库存 37341
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 1200 V
电流 - 平均整流 (Io) 35A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.4 V @ 35 A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 50 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容 -
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C

为智能时代加速到来而付出“真芯”