MSE1PBHM3/I单二极管_mse1pbhm3/i原装正品【斯普仑】

MSE1PBHM3/I

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

封装外壳：MicroSMP

描述：1A,100V, MICROSMP, ESD PROTECTIO

3181 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的MSE1PBHM3/I，现有足量库存。MSE1PBHM3/I的封装/规格参数为:MicroSMP；同时斯普仑现货为您提供MSE1PBHM3/I数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有MSE1PBHM3/I的详细使用方法及教程。

MSE1PBHM3/I产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	MSE1PBHM3/I
描述	1A,100V, MICROSMP, ESD PROTECTIO
制造商	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存	3181
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
二极管类型	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）	100 V
电流 - 平均整流 (Io)	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)	1.1 V @ 1 A
速度	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)	780 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏	1 µA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容	5pF @ 4V，1MHz
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	MicroSMP
供应商器件封装	MicroSMP（DO-219AD）
工作温度 - 结	-55°C ~ 175°C

MSE1PBHM3/I

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