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制造商：WeEn Semiconductors
封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK
斯普仑电子元件现货为您提供WeEn Semiconductors设计生产的BYW29ED-200,118，现有足量库存。BYW29ED-200,118的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供BYW29ED-200,118数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BYW29ED-200,118的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供WeEn Semiconductors设计生产的BYW29ED-200,118，现有足量库存。BYW29ED-200,118的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供BYW29ED-200,118数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BYW29ED-200,118的详细使用方法及教程。
| BYW29ED-200,118产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | BYW29ED-200,118 |
| 描述 | DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK |
| 制造商 | WeEn Semiconductors |
| 库存 | 13027 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 200 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 8A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.3 V @ 20 A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 25 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10 µA @ 200 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 工作温度 - 结 | 150°C（最大） |
