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BAS116LPH4-7B

制造商:Diodes Incorporated

封装外壳:0402(1006 公制)

描述:DIODE GEN PURP 85V 215MA 2DFN

16903 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的BAS116LPH4-7B,现有足量库存。BAS116LPH4-7B的封装/规格参数为:0402(1006 公制);同时斯普仑现货为您提供BAS116LPH4-7B数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有BAS116LPH4-7B的详细使用方法及教程。

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BAS116LPH4-7B产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 BAS116LPH4-7B
描述 DIODE GEN PURP 85V 215MA 2DFN
制造商 Diodes Incorporated
库存 16903
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 85 V
电流 - 平均整流 (Io) 215mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.25 V @ 150 mA
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 3 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 nA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容 1.5pF @ 0V,1MHz
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 0402(1006 公制)
供应商器件封装 X2-DFN1006-2
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C

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