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UGE1112AY4

制造商:IXYS

封装外壳:UGE

描述:DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE

36717 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的UGE1112AY4,现有足量库存。UGE1112AY4的封装/规格参数为:UGE;同时斯普仑现货为您提供UGE1112AY4数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有UGE1112AY4的详细使用方法及教程。

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UGE1112AY4产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 UGE1112AY4
描述 DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE
制造商 IXYS
库存 36717
系列 -
包装 散装
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 8000 V
电流 - 平均整流 (Io) 4.2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 6.25 V @ 7 A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 1 mA @ 8000 V
不同 Vr、F 时电容 -
安装类型 底座安装
封装/外壳 UGE
供应商器件封装 UGE
工作温度 - 结 -

为智能时代加速到来而付出“真芯”