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制造商：Infineon Technologies
封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：SIC DISCRETE
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IDK08G120C5XTMA1，现有足量库存。IDK08G120C5XTMA1的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供IDK08G120C5XTMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IDK08G120C5XTMA1的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IDK08G120C5XTMA1，现有足量库存。IDK08G120C5XTMA1的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供IDK08G120C5XTMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IDK08G120C5XTMA1的详细使用方法及教程。
| IDK08G120C5XTMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | IDK08G120C5XTMA1 |
| 描述 | SIC DISCRETE |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 36439 |
| 系列 | CoolSiC™+ |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 二极管类型 | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 22.8A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.95 V @ 8 V |
| 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 40 µA @ 1200 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 365pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2-1 |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
