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JANS1N3595US

制造商:Microchip Technology

封装外壳:SQ-MELF,B

描述:DIODE GEN PURP 200MA DO35

35259 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的JANS1N3595US,现有足量库存。JANS1N3595US的封装/规格参数为:SQ-MELF,B;同时斯普仑现货为您提供JANS1N3595US数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有JANS1N3595US的详细使用方法及教程。

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JANS1N3595US产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 JANS1N3595US
描述 DIODE GEN PURP 200MA DO35
制造商 Microchip Technology
库存 35259
系列 Military, MIL-S-19500-241
包装 散装
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) -
电流 - 平均整流 (Io) 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1 V @ 200 mA
速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr) 3 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 1 nA @ 125 V
不同 Vr、F 时电容 -
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SQ-MELF,B
供应商器件封装 B,SQ-MELF
工作温度 - 结 -65°C ~ 150°C

为智能时代加速到来而付出“真芯”