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EGP30J

制造商：onsemi

封装外壳：DO-201AD，轴向

描述：DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

35187 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的EGP30J，现有足量库存。EGP30J的封装/规格参数为:DO-201AD，轴向；同时斯普仑现货为您提供EGP30J数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有EGP30J的详细使用方法及教程。

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EGP30J产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 EGP30J
描述 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
制造商 onsemi
库存 35187
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） 600 V
电流 - 平均整流 (Io) 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.7 V @ 3 A
速度 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr) 75 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容 75pF @ 4V，1MHz
安装类型 通孔
封装/外壳 DO-201AD，轴向
供应商器件封装 DO-201AD
工作温度 - 结 -65°C ~ 150°C

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