RS1BL单二极管_rs1bl原装正品【斯普仑】

制造商：Taiwan Semiconductor Corporation

封装外壳：DO-219AB

描述：DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

33877 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的RS1BL，现有足量库存。RS1BL的封装/规格参数为:DO-219AB；同时斯普仑现货为您提供RS1BL数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RS1BL的详细使用方法及教程。

RS1BL产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RS1BL
描述	DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
制造商	Taiwan Semiconductor Corporation
库存	33877
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
二极管类型	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）	100 V
电流 - 平均整流 (Io)	800mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)	1.3 V @ 800 mA
速度	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)	150 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏	5 µA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容	10pF @ 4V，1MHz
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	DO-219AB
供应商器件封装	Sub SMA
工作温度 - 结	-55°C ~ 150°C