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制造商：Infineon Technologies
封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO252-3
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IDD10SG60CXTMA2，现有足量库存。IDD10SG60CXTMA2的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供IDD10SG60CXTMA2数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IDD10SG60CXTMA2的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IDD10SG60CXTMA2，现有足量库存。IDD10SG60CXTMA2的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供IDD10SG60CXTMA2数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IDD10SG60CXTMA2的详细使用方法及教程。
| IDD10SG60CXTMA2产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | IDD10SG60CXTMA2 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO252-3 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 6677 |
| 系列 | CoolSiC™+ |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 二极管类型 | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 600 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 10A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 2.1 V @ 10 A |
| 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 0 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 90 µA @ 600 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 290pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
