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FESB16JTHE3_A/I

制造商:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

封装外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

描述:DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB

46799 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的FESB16JTHE3_A/I,现有足量库存。FESB16JTHE3_A/I的封装/规格参数为:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;同时斯普仑现货为您提供FESB16JTHE3_A/I数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有FESB16JTHE3_A/I的详细使用方法及教程。

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FESB16JTHE3_A/I产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 FESB16JTHE3_A/I
描述 DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
制造商 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 46799
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 600 V
电流 - 平均整流 (Io) 16A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.5 V @ 16 A
速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 10 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容 145pF @ 4V,1MHz
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装 TO-263AB(D²PAK)
工作温度 - 结 -65°C ~ 150°C

为智能时代加速到来而付出“真芯”