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制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：DO-221BC，SMA 扁平引线裸露焊盘
描述：DIODE GEN PURP 600V 3A DO221BC
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的SE30PABHM3/I，现有足量库存。SE30PABHM3/I的封装/规格参数为:DO-221BC，SMA 扁平引线裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供SE30PABHM3/I数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SE30PABHM3/I的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的SE30PABHM3/I，现有足量库存。SE30PABHM3/I的封装/规格参数为:DO-221BC，SMA 扁平引线裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供SE30PABHM3/I数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SE30PABHM3/I的详细使用方法及教程。
| SE30PABHM3/I产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | SE30PABHM3/I |
| 描述 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO221BC |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 28562 |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 600 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 3A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.16 V @ 3 A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 1.3 µs |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5 µA @ 600 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 13pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | DO-221BC，SMA 扁平引线裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | DO-221BC（SMPA） |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
