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制造商：WeEn Semiconductors
封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：SILICON CARBIDE POWER DIODE
斯普仑电子元件现货为您提供WeEn Semiconductors设计生产的NXPSC12650B6J，现有足量库存。NXPSC12650B6J的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供NXPSC12650B6J数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NXPSC12650B6J的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供WeEn Semiconductors设计生产的NXPSC12650B6J，现有足量库存。NXPSC12650B6J的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供NXPSC12650B6J数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NXPSC12650B6J的详细使用方法及教程。
| NXPSC12650B6J产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | NXPSC12650B6J |
| 描述 | SILICON CARBIDE POWER DIODE |
| 制造商 | WeEn Semiconductors |
| 库存 | 5686 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 二极管类型 | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 650 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 12A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.7 V @ 12 A |
| 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 0 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 80 µA @ 650 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 380pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 工作温度 - 结 | 175°C（最大） |
