TPMR10J S1G
制造商：Taiwan Semiconductor Corporation
封装外壳：TO-277，3-PowerDFN
描述：DIODE GEN PURP 600V 10A TO277A
41786
现货
斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的TPMR10J S1G，现有足量库存。TPMR10J S1G的封装/规格参数为:TO-277，3-PowerDFN；同时斯普仑现货为您提供TPMR10J S1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPMR10J S1G的详细使用方法及教程。
