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TPUH6D S1G

制造商:Taiwan Semiconductor Corporation

封装外壳:TO-277,3-PowerDFN

描述:DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A

19719 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的TPUH6D S1G,现有足量库存。TPUH6D S1G的封装/规格参数为:TO-277,3-PowerDFN;同时斯普仑现货为您提供TPUH6D S1G数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TPUH6D S1G的详细使用方法及教程。

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TPUH6D S1G产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 TPUH6D S1G
描述 DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
库存 19719
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 200 V
电流 - 平均整流 (Io) 6A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.05 V @ 6 A
速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 45 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 10 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容 50pF @ 4V,1MHz
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-277,3-PowerDFN
供应商器件封装 TO-277A(SMPC)
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C

为智能时代加速到来而付出“真芯”