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制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80
描述：DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的BAV102-GS18，现有足量库存。BAV102-GS18的封装/规格参数为:DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80；同时斯普仑现货为您提供BAV102-GS18数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BAV102-GS18的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的BAV102-GS18，现有足量库存。BAV102-GS18的封装/规格参数为:DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80；同时斯普仑现货为您提供BAV102-GS18数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BAV102-GS18的详细使用方法及教程。
| BAV102-GS18产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | BAV102-GS18 |
| 描述 | DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80 |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 10630 |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 150 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 250mA |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1 V @ 100 mA |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 50 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100 nA @ 150 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 1.5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80 |
| 供应商器件封装 | SOD-80 MiniMELF |
| 工作温度 - 结 | 175°C（最大） |
