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GB01SLT12-252

制造商:GeneSiC Semiconductor

封装外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

描述:DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252

42711 现货

斯普仑电子元件现货为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的GB01SLT12-252,现有足量库存。GB01SLT12-252的封装/规格参数为:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;同时斯普仑现货为您提供GB01SLT12-252数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有GB01SLT12-252的详细使用方法及教程。

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GB01SLT12-252产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 GB01SLT12-252
描述 DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
制造商 GeneSiC Semiconductor
库存 42711
系列 SiC Schottky MPS™
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
二极管类型 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 1200 V
电流 - 平均整流 (Io) 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.8 V @ 1 A
速度 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 2 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容 69pF @ 1V,1MHz
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装 TO-252
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C

为智能时代加速到来而付出“真芯”