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制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：TO-277，3-PowerDFN
描述：DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的V8PM10SHM3/I，现有足量库存。V8PM10SHM3/I的封装/规格参数为:TO-277，3-PowerDFN；同时斯普仑现货为您提供V8PM10SHM3/I数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有V8PM10SHM3/I的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的V8PM10SHM3/I，现有足量库存。V8PM10SHM3/I的封装/规格参数为:TO-277，3-PowerDFN；同时斯普仑现货为您提供V8PM10SHM3/I数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有V8PM10SHM3/I的详细使用方法及教程。
| V8PM10SHM3/I产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | V8PM10SHM3/I |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 44645 |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 100 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 8A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 780 mV @ 8 A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 200 µA @ 100 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 860pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-277，3-PowerDFN |
| 供应商器件封装 | TO-277A（SMPC） |
| 工作温度 - 结 | -40°C ~ 175°C |
