欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 400-900-8690
制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：DO-214AA，SMB
描述：DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的S2JHE3_A/H，现有足量库存。S2JHE3_A/H的封装/规格参数为:DO-214AA，SMB；同时斯普仑现货为您提供S2JHE3_A/H数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有S2JHE3_A/H的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的S2JHE3_A/H，现有足量库存。S2JHE3_A/H的封装/规格参数为:DO-214AA，SMB；同时斯普仑现货为您提供S2JHE3_A/H数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有S2JHE3_A/H的详细使用方法及教程。
| S2JHE3_A/H产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | S2JHE3_A/H |
| 描述 | DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 26894 |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 600 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1.5A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.15 V @ 1.5 A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 2 µs |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1 µA @ 600 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 16pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB |
| 供应商器件封装 | DO-214AA（SMB） |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
