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TPH3206LSGB

制造商：Transphorm

封装外壳：3-PowerDFN

描述：GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN

8497 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Transphorm设计生产的TPH3206LSGB，现有足量库存。TPH3206LSGB的封装/规格参数为:3-PowerDFN；同时斯普仑现货为您提供TPH3206LSGB数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPH3206LSGB的详细使用方法及教程。

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TPH3206LSGB产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TPH3206LSGB
描述 GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
制造商 Transphorm
库存 8497
系列 -
包装 托盘
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 180 毫欧 @ 10A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 6.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 720 pF @ 480 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 81W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 3-PQFN（8x8）
封装/外壳 3-PowerDFN

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