TPH3206LDG-TR规格参数_tph3206ldg-tr现货热销【斯普仑】

TPH3206LDG-TR

制造商：Transphorm

封装外壳：3-PowerDFN

描述：GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN

8835 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Transphorm设计生产的TPH3206LDG-TR，现有足量库存。TPH3206LDG-TR的封装/规格参数为:3-PowerDFN；同时斯普仑现货为您提供TPH3206LDG-TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPH3206LDG-TR的详细使用方法及教程。

TPH3206LDG-TR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TPH3206LDG-TR
描述	GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
制造商	Transphorm
库存	8835
系列	-
包装	托盘
FET 类型	N 通道
技术	GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	180 毫欧 @ 11A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	9.3 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	760 pF @ 480 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	96W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	3-PQFN（8x8）
封装/外壳	3-PowerDFN

TPH3206LDG-TR

猜您喜欢

G15

E3M0065090D

C2M0080170P

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S080B

CPM2-1200-0160B

CPM2-1200-0080B

BUK7Y25-80E/GFX

BUK7Y25-80E/CX

PSMN7R6-60XSQ

BUK761R5-40EJ

PSMN8R5-108ESQ

PSMN3R9-60XSQ

BUK9C1R3-40EJ

BUK951R8-40EQ

PMT760EN,115

PMT200EN,115

BUK9C5R3-100EJ

BUK9C3R8-80EJ

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”

热门类目

关于斯普仑

帮助中心